Belakangan ini banyak teman yang bertanya tentang ciri-ciri target sputtering molibdenum.Dalam industri elektronik, untuk meningkatkan efisiensi sputtering dan menjamin kualitas film yang disimpan, apa saja persyaratan karakteristik target sputtering molibdenum?Sekarang ahli teknis dari RSM akan menjelaskannya kepada kami.
1. Kemurnian
Kemurnian tinggi merupakan persyaratan karakteristik dasar target sputtering molibdenum.Semakin tinggi kemurnian target molibdenum, semakin baik kinerja film tergagap.Secara umum, kemurnian target sputtering molibdenum harus minimal 99,95% (fraksi massa, sama di bawah).Namun, dengan peningkatan terus-menerus dalam ukuran substrat kaca di industri LCD, panjang kabel perlu diperpanjang dan lebar garis harus lebih tipis.Untuk memastikan keseragaman film dan kualitas kabel, kemurnian target sputtering molibdenum juga perlu ditingkatkan.Oleh karena itu, sesuai dengan ukuran substrat kaca tergagap dan lingkungan penggunaan, kemurnian target sputtering molibdenum harus 99,99% – 99,999% atau bahkan lebih tinggi.
Target sputtering molibdenum digunakan sebagai sumber katoda dalam sputtering.Kotoran padatan dan oksigen serta uap air di pori-pori merupakan sumber polusi utama dari endapan film.Selain itu, dalam industri elektronik, karena ion logam alkali (Na, K) mudah menjadi ion bergerak pada lapisan insulasi, kinerja perangkat aslinya menurun;Unsur-unsur seperti uranium (U) dan titanium (TI) akan dilepaskan sinar-X α, sehingga mengakibatkan kerusakan ringan pada perangkat;Ion besi dan nikel akan menyebabkan kebocoran antarmuka dan peningkatan unsur oksigen.Oleh karena itu, dalam proses persiapan target sputtering molibdenum, unsur pengotor ini perlu dikontrol secara ketat untuk meminimalkan kandungannya dalam target.
2. Ukuran butir dan distribusi ukuran
Umumnya, target sputtering molibdenum adalah struktur polikristalin, dan ukuran butir dapat berkisar dari mikron hingga milimeter.Hasil percobaan menunjukkan bahwa laju sputtering target butiran halus lebih cepat dibandingkan target butiran kasar;Untuk target dengan perbedaan ukuran butir yang kecil, distribusi ketebalan film yang diendapkan juga lebih seragam.
3. Orientasi kristal
Karena atom target mudah tergagap secara istimewa sepanjang arah susunan atom terdekat dalam arah heksagonal selama sputtering, untuk mencapai laju sputtering tertinggi, laju sputtering sering kali ditingkatkan dengan mengubah struktur kristal target.Arah kristal target juga mempunyai pengaruh besar terhadap keseragaman ketebalan film yang tergagap.Oleh karena itu, sangat penting untuk mendapatkan struktur target berorientasi kristal tertentu untuk proses sputtering film.
4. Densifikasi
Dalam proses pelapisan sputtering, ketika target sputtering dengan kepadatan rendah dibombardir, gas yang ada di pori-pori internal target dilepaskan secara tiba-tiba, mengakibatkan percikan partikel atau partikel target berukuran besar, atau bahan film dibombardir. oleh elektron sekunder setelah pembentukan film, mengakibatkan percikan partikel.Munculnya partikel-partikel tersebut akan menurunkan kualitas film.Untuk memperkecil pori-pori padatan target dan meningkatkan kinerja film, target sputtering umumnya memerlukan kepadatan yang tinggi.Untuk target sputtering molibdenum, kepadatan relatifnya harus lebih dari 98%.
5. Pengikatan target dan sasis
Umumnya target sputtering molibdenum harus dihubungkan dengan sasis tembaga bebas oksigen (atau aluminium dan bahan lainnya) sebelum melakukan sputtering, sehingga konduktivitas termal target dan sasis baik selama proses sputtering.Setelah pengikatan, inspeksi ultrasonik harus dilakukan untuk memastikan bahwa area non-ikatan keduanya kurang dari 2%, sehingga memenuhi persyaratan sputtering daya tinggi tanpa terjatuh.
Waktu posting: 19 Juli-2022