Seperti kita ketahui bersama, metode yang biasa digunakan dalam pelapisan vakum adalah transpirasi vakum dan sputtering ion.Apa perbedaan antara lapisan transpirasi dan lapisan sputtering? Banyakrakyat punya pertanyaan seperti itu.Mari berbagi dengan Anda perbedaan antara lapisan transpirasi dan lapisan sputtering
Film transpirasi vakum adalah memanaskan data yang akan ditranspirasi ke suhu tetap melalui pemanasan resistansi atau berkas elektron dan penembakan laser di lingkungan dengan derajat vakum tidak kurang dari 10-2Pa, sehingga energi getaran termal molekul atau atom dalam data melebihi energi pengikatan permukaan, sehingga banyak molekul atau atom mengalami transpirasi atau peningkatan, dan langsung menyimpannya pada substrat untuk membentuk film.Lapisan sputtering ion menggunakan gerakan remonstran tinggi dari ion positif yang dihasilkan oleh pelepasan gas di bawah pengaruh medan listrik untuk membombardir target sebagai katoda, sehingga atom atau molekul dalam target keluar dan mengendap di permukaan benda kerja berlapis untuk membentuk film yang diperlukan.
Metode pelapisan transpirasi vakum yang paling umum digunakan adalah metode pemanasan resistansi.Keuntungannya adalah struktur sumber pemanas yang sederhana, biaya rendah dan pengoperasian yang mudah.Kerugiannya adalah tidak cocok untuk logam tahan api dan media tahan suhu tinggi.Pemanasan berkas elektron dan pemanasan laser dapat mengatasi kelemahan pemanasan resistansi.Dalam pemanasan berkas elektron, berkas elektron terfokus digunakan untuk memanaskan langsung data yang dikupas, dan energi kinetik berkas elektron menjadi energi panas untuk membuat transpirasi data.Pemanasan laser menggunakan laser berkekuatan tinggi sebagai sumber pemanasnya, namun karena tingginya biaya laser berkekuatan tinggi, laser ini hanya dapat digunakan di sejumlah kecil laboratorium penelitian.
Keterampilan sputtering berbeda dengan keterampilan transpirasi vakum.Sputtering mengacu pada fenomena partikel bermuatan yang membombardir kembali ke permukaan (target) tubuh, sehingga atom atau molekul padat terpancar dari permukaan.Sebagian besar partikel yang dipancarkan adalah atom, yang sering disebut atom tergagap.Partikel tergagap yang digunakan untuk menembaki target dapat berupa elektron, ion, atau partikel netral.Karena ion mudah memperoleh energi kinetik yang dibutuhkan di bawah medan listrik, sebagian besar ion dipilih sebagai partikel penembakan.
Proses sputtering didasarkan pada lucutan pijar, yaitu ion-ion sputtering berasal dari pelepasan gas.Keterampilan sputtering yang berbeda memiliki metode pelepasan cahaya yang berbeda.Sputtering dioda DC menggunakan pelepasan cahaya DC;Sputtering triode adalah pelepasan cahaya yang didukung oleh katoda panas;Sputtering RF menggunakan pelepasan cahaya RF;Sputtering magnetron adalah pelepasan cahaya yang dikendalikan oleh medan magnet annular.
Dibandingkan dengan pelapisan transpirasi vakum, pelapisan sputtering memiliki banyak keunggulan.Jika suatu zat dapat tergagap, terutama unsur dan senyawa dengan titik leleh tinggi dan tekanan uap rendah;Daya rekat antara film yang tergagap dan substratnya bagus;Kepadatan film yang tinggi;Ketebalan film dapat dikontrol dan pengulangannya bagus.Kerugiannya adalah peralatannya rumit dan membutuhkan perangkat bertegangan tinggi.
Selain itu, kombinasi metode transpirasi dan metode sputtering adalah pelapisan ion.Keuntungan metode ini adalah daya rekat yang kuat antara film dan substrat, laju deposisi yang tinggi, dan kepadatan film yang tinggi.
Waktu posting: 09-Mei-2022