Prinsip pelapisan vakum

Pelapisan vakum mengacu pada pemanasan dan penguapan sumber penguapan dalam ruang hampa atau sputtering dengan pemboman ion yang dipercepat, dan menyimpannya di permukaan substrat untuk membentuk film satu lapis atau multi lapis.Apa prinsip pelapisan vakum?Selanjutnya redaksi RSM akan memperkenalkannya kepada kami.

　　1. Lapisan penguapan vakum

Pelapisan evaporasi mensyaratkan bahwa jarak antara molekul uap atau atom dari sumber penguapan dan substrat yang akan dilapisi harus kurang dari jalur bebas rata-rata molekul gas sisa di ruang pelapis, untuk memastikan bahwa molekul uap dari uap tersebut. penguapan dapat mencapai permukaan substrat tanpa tumbukan.Pastikan filmnya murni dan kencang, dan penguapannya tidak akan teroksidasi.

　　2. Lapisan sputtering vakum

Dalam ruang hampa, ketika ion-ion yang dipercepat bertumbukan dengan padatan, di satu sisi kristal rusak, di sisi lain bertabrakan dengan atom-atom penyusun kristal, dan akhirnya atom atau molekul pada permukaan padatan. tergagap ke luar.Bahan yang tergagap disepuh pada substrat untuk membentuk film tipis, yang disebut pelapisan sputter vakum.Ada banyak metode sputtering, salah satu metode sputtering dioda adalah yang paling awal.Menurut target katoda yang berbeda, dapat dibagi menjadi arus searah (DC) dan frekuensi tinggi (RF).Jumlah atom yang tergagap karena tumbukan ion pada permukaan target disebut laju sputtering.Dengan tingkat sputtering yang tinggi, kecepatan pembentukan film menjadi cepat.Laju sputtering berhubungan dengan energi dan jenis ion serta jenis bahan target.Secara umum, laju sputtering meningkat seiring dengan meningkatnya energi ion manusia, dan laju sputtering logam mulia semakin tinggi.