Mengenai penerapan dan prinsip teknologi target sputtering, beberapa pelanggan telah berkonsultasi dengan RSM, kini untuk masalah yang lebih memprihatinkan ini, pakar teknis berbagi beberapa pengetahuan terkait yang spesifik.
Aplikasi target sputtering:
Partikel bermuatan (seperti ion argon) membombardir permukaan benda padat, menyebabkan partikel permukaan, seperti atom, molekul, atau kumpulan lepas dari permukaan benda, fenomena yang disebut “sputtering”.Dalam lapisan sputtering magnetron, ion positif yang dihasilkan oleh ionisasi argon biasanya digunakan untuk membombardir padatan (target), dan atom netral yang tergagap diendapkan pada substrat (benda kerja) untuk membentuk lapisan film.Lapisan sputtering magnetron memiliki dua karakteristik: “suhu rendah” dan “cepat”.
Prinsip sputtering magnetron:
Medan magnet ortogonal dan medan listrik ditambahkan antara kutub target (katoda) dan anoda yang tergagap, dan gas inert yang diperlukan (biasanya gas Ar) diisi ke dalam ruang vakum tinggi.Magnet permanen membentuk medan magnet 250-350 Gauss pada permukaan material target, dan membentuk medan elektromagnetik ortogonal dengan medan listrik tegangan tinggi.
Di bawah pengaruh medan listrik, gas Ar terionisasi menjadi ion dan elektron positif, dan terdapat tekanan tinggi negatif tertentu pada target, sehingga elektron yang dipancarkan dari kutub target dipengaruhi oleh medan magnet dan kemungkinan kerja ionisasi. gas meningkat.Plasma berdensitas tinggi terbentuk di dekat katoda, dan ion Ar berakselerasi ke permukaan target di bawah aksi gaya Lorentz dan membombardir permukaan target dengan kecepatan tinggi, sehingga atom-atom yang tergagap pada target keluar dari permukaan target dengan kecepatan tinggi. energi kinetik dan terbang ke substrat membentuk film sesuai dengan prinsip konversi momentum.
Sputtering magnetron umumnya dibagi menjadi dua jenis: sputtering DC dan sputtering RF.Prinsip peralatan sputtering DC sederhana, dan kecepatannya cepat saat melakukan sputtering logam.Penggunaan sputtering RF lebih luas, selain sputtering bahan konduktif, tetapi juga sputtering bahan non-konduktif, tetapi juga sputtering reaktif oksida, nitrida dan karbida serta bahan senyawa lainnya.Jika frekuensi RF meningkat, maka akan terjadi sputtering plasma gelombang mikro.Saat ini, sputtering plasma gelombang mikro tipe resonansi siklotron elektron (ECR) umum digunakan.
Waktu posting: 01 Agustus-2022