Targetnya memiliki banyak fungsi dan aplikasi yang luas di berbagai bidang.Peralatan sputtering baru hampir menggunakan magnet yang kuat untuk memutar elektron guna mempercepat ionisasi argon di sekitar target, yang meningkatkan kemungkinan tumbukan antara target dan ion argon,
Meningkatkan tingkat sputtering.Umumnya, sputtering DC digunakan untuk pelapisan logam, sedangkan sputtering komunikasi RF digunakan untuk bahan magnetik keramik non-konduktif.Prinsip dasarnya adalah menggunakan lucutan pijar untuk mengenai ion argon (AR) pada permukaan target dalam ruang hampa, dan kation dalam plasma akan dipercepat untuk mengalir ke permukaan elektroda negatif sebagai bahan yang memercik.Dampak ini akan membuat material target terbang keluar dan mengendap di substrat membentuk film.
Secara umum, ada beberapa ciri pelapisan film dengan menggunakan proses sputtering:
(1) Logam, paduan atau isolator dapat dibuat menjadi data film tipis.
(2) Dalam kondisi setting yang sesuai, film dengan komposisi yang sama dapat dibuat dari beberapa target yang tidak teratur.
(3) Campuran atau senyawa bahan target dan molekul gas dapat dibuat dengan menambahkan oksigen atau gas aktif lainnya dalam atmosfer pelepasan.
(4) Arus masukan target dan waktu sputtering dapat dikontrol, dan mudah untuk mendapatkan ketebalan film presisi tinggi.
(5) Bermanfaat bagi produksi film lainnya.
(6) Partikel yang tergagap hampir tidak terpengaruh oleh gravitasi, dan target serta substrat dapat diatur dengan bebas.
Waktu posting: 24 Mei-2022