Polisilikon merupakan bahan target sputtering yang penting.Penggunaan metode sputtering magnetron untuk menyiapkan SiO2 dan film tipis lainnya dapat membuat bahan matriks memiliki ketahanan optik, dielektrik, dan korosi yang lebih baik, yang banyak digunakan di industri layar sentuh, optik, dan lainnya.
Proses pengecoran kristal panjang adalah mewujudkan pemadatan terarah silikon cair dari bawah ke atas secara bertahap dengan mengontrol secara akurat suhu pemanas di bidang panas tungku ingot dan pembuangan panas bahan isolasi termal, dan kecepatan kristal panjang pemadatan adalah 0,8~1,2cm/jam.Pada saat yang sama, dalam proses pemadatan terarah, efek pemisahan unsur logam dalam bahan silikon dapat diwujudkan, sebagian besar unsur logam dapat dimurnikan, dan struktur butiran silikon polikristalin yang seragam dapat dibentuk.
Pengecoran polisilikon juga perlu dilakukan doping secara sengaja dalam proses produksinya, untuk mengubah konsentrasi pengotor akseptor dalam lelehan silikon.Dopan utama polisilikon cor tipe-p di industri adalah paduan induk silikon boron, yang kandungan boronnya sekitar 0,025%.Jumlah doping ditentukan oleh resistivitas target wafer silikon.Resistivitas optimal adalah 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, dan konsentrasi boron yang sesuai adalah sekitar 2 × 1014cm-3。 Namun, koefisien segregasi boron dalam silikon adalah 0,8, yang akan menunjukkan efek segregasi tertentu dalam proses pemadatan terarah, yaitu Yaitu, unsur boron didistribusikan dalam gradien dalam arah vertikal ingot, dan resistivitas secara bertahap menurun dari bawah ke atas ingot.
Waktu posting: 26 Juli-2022